| 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| 河西 秀典; 林 寛; 森本 泰司; 兼岩 進治; 山口 雅広 | |
| 2000-02-25 | |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 专利号 | JP3038186B2 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 共振器端面部近傍における温度上昇を抑制し、高出力状態でも高い信頼性を示す半導体レーザを再現性よく作製する方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明に係る半導体レーザ素子の製造方法は基板上方に積層された光吸収層に共振器端面部近傍で幅が拡大されたストライプ状の貫通溝を形成する工程と、前記貫通溝を液相成長させることによって平坦に埋め込んでクラッド層を形成する工程と、前記クラッド層上に均一な厚さを有する平板状の活性層を積層する工程と、を含むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-05-08 |
| 申请日期 | 1987-12-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/81983]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河西 秀典,林 寛,森本 泰司,等. 半導体レーザ素子の製造方法. JP3038186B2. 2000-02-25. |
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