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近代物理研究所 [21]
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2019 [4]
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专题:近代物理研究所
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Impacts of carbon ions on SEU in SOI SRAM
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2021, 卷号: 126, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Zhang, Q.
;
Xi, K.
;
Li, B.
;
Wang, C.
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2022/01/24
SEE
SEU
SOI SRAM
C
Measurement and evaluation of the Single Event Effects of high-performance SerDes circuits
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 1012, 页码: 11
作者:
Wang, Shu
;
Cai, Chang
;
Ning, Bingxu
;
He, Ze
;
Huang, Zhiqin
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2021/12/08
SerDes
SRAM-based FPGA
Single Event Upset
Single Event Functional Interrupt
Heavy ion track straggling effect in single event effect numerical simulation of 3D stacked devices
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 10
作者:
Liu, T. Q.
;
Li, D. Q.
;
Cai, C.
;
Zhao, P. X.
;
Shen, C.
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2021/12/13
SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA
期刊论文
ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12
作者:
Cai, Chang
;
Gao, Shuai
;
Zhao, Peixiong
;
Yu, Jian
;
Zhao, Kai
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2022/01/19
field-programmable gate arrays
embedded block memory
single event
fault tolerance
radiation effect
Preliminary single event effect distribution investigation on 28 nm SoC using heavy ion microbeam
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2019, 卷号: 450, 页码: 323-326
作者:
Yang, Weitao
;
Du, Xuecheng
;
Guo, Jinlong
;
Wei, Junze
;
Du, Guanghua
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2019/11/10
Single event effect (SEE)
System on Chip (SoC)
Heavy ion microbeam
On-chip-memory (OCM)
Effects of total ionizing dose on single event effect sensitivity of FRAMs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2019, 卷号: 95, 页码: 1-7
作者:
Ji, Qinggang
;
Liu, Jie
;
Li, Dongqing
;
Liu, Tianqi
;
Ye, Bing
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浏览/下载:54/0
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提交时间:2019/11/10
Ferroelectric random access memory
Total ionizing dose
Single event effect
TCAD simulation
Influences of total ionizing dose on single event effect sensitivity in floating gate cells
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 086103
作者:
Zhao, Pei-Xiong
;
Liu, Tian-Qi
;
Ye, Bing
;
Luo, Jie
;
Sun, You-Mei
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2018/10/08
flash memories
heavy ions
synergistic effect
total ionizing dose
Prediction of proton-induced SEE error rates for the VATA160 ASIC
期刊论文
NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2017, 卷号: 28, 页码: 6
作者:
Xi, Kai
;
Jiang, Di
;
Gao, Shan-Shan
;
Kong, Jie
;
Zhao, Hong-Yun
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2018/05/31
Proton
ASIC
Single event effects
Error rates
Monte Carlo predictions of proton SEE cross-sections from heavy ion test data
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 页码: 47-52
作者:
Xi, Kai
;
Geng, Chao
;
Zhang, Zhan-Gang
;
Hou, Ming-Dong
;
Sun, You-Mei
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/05/31
single event effects
Geant4
protons
heavy ions
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