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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles investigation of oxygen interaction with hydrogen/helium/vacancy irradiation defects in Ti3AlC2 期刊论文 PHYSICAL CHEMISTRY CHEMICAL PHYSICS, 2021, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 5340-5351 作者:  Meng, Zhaocang;  Wang, Canglong;  Liu, Jitao;  Wang, Yinlong;  Zhu, Xiaolu 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2021/12/10 A first-principles study on magnetic properties of the intrinsic defects in wurtzite ZnO 期刊论文 JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2019, 卷号: 150, 期号: 9, 页码: 8 作者:  Liu, H.;  Lin, Q. L.;  Li, G. P.;  Xu, N. N.;  Wang, C. L. 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2019/11/10 The study of optical property of sapphire irradiated with 73 MeV Ca ions 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2015, 卷号: 235, 页码: 544-547 作者:  Xian, Yongqiang;  Liu, Juan;  Gou, Jie;  Song, Yin;  Zhang, Chonghong 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/05/31 Ion irradiation  Sapphire Optical absorbance  Photoluminescence   Annealing ambient on the evolution of He-induced voids in silicon 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2011, 卷号: 257, 期号: 16, 页码: 7036-7040 作者:  Zhang, C. H.;  Zhang, L. Q.;  Zhang, H. H.;  Zhang, Y.;  Han, L. H. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/10/15 Silicon  Positron annihilation  Void  Annealing ambient  TEM   Defect production in silicon irradiated with 750 MeV Ar ions 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 1998, 卷号: 135, 期号: 1-4, 页码: 260-264 作者:  Zhu, ZY;  Hou, MD;  Jin, YF;  Liu, CL;  Wang, YS 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2011/08/26 irradiation  defect  silicon