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面発光型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2934678B2, 申请日期: 1999-06-04, 公开日期: 1999-08-16
作者:  伊賀 健一;  古沢 浩太郎;  茨木 晃;  石川 徹
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Method for fabricating a semiconductor laser diode 专利
专利号: EP0713275A1, 申请日期: 1996-05-22, 公开日期: 1996-05-22
作者:  YOO, TAE KYUNG;  CHO, MEOUNG WHAN;  SEO, JU OK;  LEEM, SHI JONG;  NOH, MIN SOO
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Manufacture of surface-emission semiconductor laser 专利
专利号: JP1991274783A, 申请日期: 1991-12-05, 公开日期: 1991-12-05
作者:  IGA KENICHI;  ISHIKAWA TORU;  IBARAKI AKIRA;  FURUSAWA KOTARO
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Growth of semi-insulating indium phosphide by liquid phase epitaxy 专利
专利号: EP0344904A3, 申请日期: 1991-11-13, 公开日期: 1991-11-13
作者:  KNIGHT, DOUGLAS GORDON;  BENYON, WILLIAM
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Manufacture of ridge laser 专利
专利号: JP1991165086A, 申请日期: 1991-07-17, 公开日期: 1991-07-17
作者:  ONOUCHI TOSHIHIKO;  NOJIRI HIDEAKI
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Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1991125489A, 申请日期: 1991-05-28, 公开日期: 1991-05-28
作者:  ONOUCHI TOSHIHIKO;  NOJIRI HIDEAKI
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Semiconductor laser device and manufacture thereof 专利
专利号: JP1990063183A, 申请日期: 1990-03-02, 公开日期: 1990-03-02
作者:  OKADA MASATO
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Heterostructure laser 专利
专利号: US4788688, 申请日期: 1988-11-29, 公开日期: 1988-11-29
作者:  HASENBERG, THOMAS C.;  GARMIRE, ELSA M.
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- 专利
专利号: FR2033706A5, 申请日期: 1970-12-04, 公开日期: 1970-12-04
作者:  -
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Preparation of semiconductor compounds 专利
专利号: GB1149109A, 申请日期: 1969-04-16, 公开日期: 1969-04-16
作者:  -
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