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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 III nitride compound semiconductor element an electrode forming method 专利 专利号: US6806571, 申请日期: 2004-10-19, 公开日期: 2004-10-19 作者:  SHIBATA, NAOKI;  UEMURA, TOSHIYA;  ASAI, MAKOTO;  KOIDE, YASUO;  MURAKAMI, MASANORI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Group III nitride compound semiconductor laser 专利 专利号: US6801559, 申请日期: 2004-10-05, 公开日期: 2004-10-05 作者:  HATANO, TAKASHI;  IWAYAMA, SHO;  KOIKE, MASAYOSHI 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 Laser diode with metal-oxide upper cladding layer 专利 专利号: US20040184497A1, 申请日期: 2004-09-23, 公开日期: 2004-09-23 作者:  KNEISSL, MICHAEL A.;  ROMANO, LINDA T.;  VAN DE WALLE, CHRISTIAN G. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 Group III nitride compound semiconductor laser 专利 专利号: US6680957, 申请日期: 2004-01-20, 公开日期: 2004-01-20 作者:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO;  TEZEN, YUTA;  NAGAI, SEIJI;  KOJIMA, AKIRA 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2020/01/18 Group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利 专利号: EP1041650A3, 申请日期: 2001-10-10, 公开日期: 2001-10-10 作者:  KANEYAMA, NAOKI;  ASAI, MAKOTO;  SAWAZAKI, KATSUHISA 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2020/01/13 Method for fabricating semiconductor device having group III nitride 专利 专利号: US6117700, 申请日期: 2000-09-12, 公开日期: 2000-09-12 作者:  ORITA, KENJI;  ISHIDA, MASAHIRO;  NAKAMURA, SHINJI;  YURI, MASAAKI 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24 Compound semiconductor light emitting device and method of preparing the same 专利 专利号: US5756374, 申请日期: 1998-05-26, 公开日期: 1998-05-26 作者:  MIURA, YOSHIKI;  MATSUBARA, HIDEKI;  MATSUSHIMA, MASATO;  SEKI, HISASHI;  KOUKITU, AKINORI 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2019/12/24