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High-performance solid-state photon-enhanced thermionic emission solar energy converters with graded bandgap window-layer 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 5
作者:  Yang, Yang;  Xu, Peng;  Cao, Weiwei;  Zhu, Bingli;  Wang, Bo
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Glancing-incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/ZnMgO hetero structures grown by laser-MBE 期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 123-128
作者:  Yang, XD;  Zhang, JW;  Bi, Z;  He, YN;  Xu, Q
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2015/08/15
Hetero-integration of dissimilar semiconductor materials 专利
专利号: US6495385, 申请日期: 2002-12-17, 公开日期: 2002-12-17
作者:  XIE, YA-HONG
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/24
Semiconductor Laser with gamma and X electron barriers 专利
专利号: GB2344932A, 申请日期: 2000-06-21, 公开日期: 2000-06-21
作者:  STEPHEN PETER NAJDA
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/31
Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction 专利
专利号: US5831295, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:  HUANG, JENN-HWA;  TEHRANI, SAIED N.
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半導体発光素子 专利
专利号: JP2751306B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者:  山腰 茂伸
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半導体レーザ 专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者:  深谷 一夫
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13
半導体発光素子 专利
专利号: JP2643127B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:  下林 隆;  伊藤 直行
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半導体発光素子 专利
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者:  麻多 進
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赤外半導体レ-ザ 专利
专利号: JP2529854B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-09-04
作者:  鈴木 正敏;  久代 行俊;  宇高 勝之;  秋葉 重幸;  松島 裕一
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