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西安光学精密机械研... [51]
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专利 [49]
期刊论文 [2]
发表日期
2021 [1]
2005 [1]
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专题:西安光学精密机械研究所
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High-performance solid-state photon-enhanced thermionic emission solar energy converters with graded bandgap window-layer
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2021, 卷号: 54, 期号: 5
作者:
Yang, Yang
;
Xu, Peng
;
Cao, Weiwei
;
Zhu, Bingli
;
Wang, Bo
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2020/12/08
photon-enhanced thermionic emission
solid-state device
solar energy converter
bandgap gradation
AlGaAs/GaAs hetero-junction
Glancing-incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/ZnMgO hetero structures grown by laser-MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 123-128
作者:
Yang, XD
;
Zhang, JW
;
Bi, Z
;
He, YN
;
Xu, Q
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2015/08/15
glancing incidence X-ray analysis
time-integrated photoluminescence
X-ray reflectivity
laser MBE
Hetero-integration of dissimilar semiconductor materials
专利
专利号: US6495385, 申请日期: 2002-12-17, 公开日期: 2002-12-17
作者:
XIE, YA-HONG
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor Laser with gamma and X electron barriers
专利
专利号: GB2344932A, 申请日期: 2000-06-21, 公开日期: 2000-06-21
作者:
STEPHEN PETER NAJDA
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/31
Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction
专利
专利号: US5831295, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03
作者:
HUANG, JENN-HWA
;
TEHRANI, SAIED N.
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2019/12/24
半導体発光素子
专利
专利号: JP2751306B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18
作者:
山腰 茂伸
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ
专利
专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08
作者:
深谷 一夫
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
专利号: JP2643127B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20
作者:
下林 隆
;
伊藤 直行
收藏
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提交时间:2020/01/18
半導体発光素子
专利
专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19
作者:
麻多 進
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2020/01/18
赤外半導体レ-ザ
专利
专利号: JP2529854B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-09-04
作者:
鈴木 正敏
;
久代 行俊
;
宇高 勝之
;
秋葉 重幸
;
松島 裕一
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/12/24
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