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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [10]
会议论文 [1]
发表日期
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1999 [1]
1998 [1]
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An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:150/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/11/15
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth
期刊论文
microelectronic engineering, 2003, 卷号: 66, 期号: 1-4, 页码: 504-509
Zhang ZC
;
Ren BY
;
Chen YH
;
Yang SY
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
Czochralski method
growth from melt
semiconductor silicon
argon gas flow
computer simulation
oxygen content
FURNACE PRESSURE
Improved purity of long-wavelength inassb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats
期刊论文
Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90
作者:
Gao, YZ
;
Kan, H
;
Gao, FS
;
Gong, XY
;
Yamaguchi, T
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Purification
X-ray diffraction
Melt epitaxy
Narrow gap materials
Semiconducting iii-v materials
Excitonic photoluminescence properties of nanocrystalline GaSb and Ga0.62In0.38Sb embedded in silica films
期刊论文
journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 3, 页码: 273-281
Liu FM
;
Wang TM
;
Zhang LD
;
Li GH
;
Han HX
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/08/12
nanocrystals
photoluminescence
quantum confinement
GaSb
Ga0.62In0.38Sb
LIQUID-PHASE EPITAXY
X-RAY PHOTOELECTRON
GALLIUM ANTIMONIDE
COMPOSITE FILMS
QUANTUM DOTS
RAMAN
SPECTROSCOPY
DEPOSITION
SPECTRA
MATRIX
Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90
Gao YZ
;
Kan H
;
Gao FS
;
Gong XY
;
Yamaguchi T
收藏
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浏览/下载:85/4
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提交时间:2010/08/12
purification
X-ray diffraction
melt epitaxy
narrow gap materials
semiconducting III-V materials
CUTOFF WAVELENGTH
SINGLE-CRYSTALS
MU-M
INFRARED PHOTODETECTORS
GAAS
New insight into the origin of twin and grain boundary in InP
期刊论文
solid state communications, 1999, 卷号: 110, 期号: 7, 页码: 403-406
Han Y
;
Lin L
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductors
synchrotron radiation
LEC GROWTH
CZOCHRALSKI
SINGLE-CRYSTALS
Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650
Xu DP
;
Yang H
;
Zheng LX
;
Wang XJ
;
Duan LH
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAAS
NITRIDATION
Structure and device characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs solar cells
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 162, 期号: 0, 页码: 43-47
Li B
;
Xiang XB
;
You ZP
;
Xu Y
;
Fei XY
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
REGROWTH
LAYERS
SURFACE
GAAS
AL
DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP
期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414
ZHU QS
;
HIRAMATSU K
;
SAWAKI N
;
AKASAKI I
;
LIU XN
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
SEMICONDUCTORS
DEFECTS
VACANCY
SILICON
LEVEL
LPE
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