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半导体研究所 [16]
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期刊论文 [16]
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2010 [4]
2009 [4]
2008 [3]
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High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: article no.55013
Wu CM
;
Zhang BP
;
Shang JZ
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Yu JZ
;
Wang QM
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浏览/下载:68/3
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提交时间:2011/07/05
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
MIRRORS
GAN
WAVELENGTHS
Fabrication of a low-loss ssc using high-dose electron beam lithography exposure with negative pmma resist
期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 501-503
作者:
Liu, Yan
;
Xu, Xuejun
;
Xing, Bo
;
Yu, Yude
;
Yu, Jinzhong
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2019/05/12
Silicon-on-insulator (soi)
Spot-size converter (ssc)
Surface roughness scattering in two dimensional electron gas channel
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262111
Liu B
;
Lu YW
;
Jin GR
;
Zhao Y
;
Wang XL
;
Zhu QS
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:51/5
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
MOBILITY ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY
PERFORMANCE
ALN
MODFETS
INN
Fabrication of a Low-Loss SSC Using High-Dose Electron Beam Lithography Exposure With Negative PMMA Resist
期刊论文
ieee photonics technology letters, 2010, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 501-503
Liu Y (Liu Yan)
;
Xu XJ (Xu Xuejun)
;
Xing B (Xing Bo)
;
Yu YD (Yu Yude)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
收藏
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浏览/下载:92/1
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提交时间:2010/04/22
Silicon-on-insulator (SOI)
An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464
作者:
Wang YT
;
Zhao DG
;
Zhang SM
;
Yang H
;
Jiang DS
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浏览/下载:151/11
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提交时间:2010/04/04
Nitride materials
Crystal growth
X-ray diffraction
TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE
LIGHT-EMITTING-DIODES
PIEZOELECTRIC FIELDS
LASER-DIODES
DEPENDENCE
RECOMBINATION
POLARIZATION
DYNAMICS
GROWTH
MOCVD
Experimental investigation on submicron rib waveguide microring/racetrack resonators in silicon-on-insulator
期刊论文
optics communications, 2009, 卷号: 282, 期号: 1, 页码: 22-26
Huang, QZ
;
Yu, YD
;
Yu, JZ
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/03/08
Resonators
Submicron rib waveguides
Silicon-on-insulator
Polarization
Experimental investigation on submicron rib waveguide microring/racetrack resonators in silicon-on-insulator
期刊论文
Optics communications, 2009, 卷号: 282, 期号: 1, 页码: 22-26
作者:
Huang, Qingzhong
;
Yu, Yude
;
Yu, Jinzhong
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Resonators
Submicron rib waveguides
Silicon-on-insulator
Polarization
An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application
期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:
Zhang ML
;
Hou QF
收藏
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浏览/下载:132/30
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/AlN/GaN
HEMT
MOCVD
SiC substrate
Power device
Long-Wavelength Emission InAs Quantum Dots Grown on InGaAs Metamorphic Buffers
期刊论文
journal of nanoscience and nanotechnology, 2009, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 1333-1336
作者:
Xu YQ
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浏览/下载:212/56
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提交时间:2010/03/08
InAs Quantum Dots
Metamorphic Buffer
Molecular Beam Epitaxy
The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106
Ma, ZF
;
Zhao, DG
;
Wang, YT
;
Jiang, DS
;
Zhang, SM
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Sun, BJ
;
Yang, H
;
Liang, JW
收藏
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
INTERSUBBAND ABSORPTION
MU-M
ALGAN
GAN
INTERLAYERS
MOVPE
ALN
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