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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11, 2010-10-15 赵雷; 左玉华; 王启明 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2009/06/11 带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态 期刊论文 物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4350-4353 作者:  成步文;  薛春来;  左玉华 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/11/23 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/11/23