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半导体研究所 [24]
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期刊论文 [21]
专利 [1]
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专题:半导体研究所
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生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2009-12-16, 2010-08-12, 2010-10-15
占 荣
;
惠 峰
;
赵有文
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浏览/下载:306/0
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提交时间:2010/08/12
Co doping enhanced giant magnetocaloric effect in Mn1-xCoxAs films epitaxied on GaAs (001)
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 4, 页码: art. no. 042502
Xu PF (Xu P. F.)
;
Nie SH (Nie S. H.)
;
Meng KK (Meng K. K.)
;
Wang SL (Wang S. L.)
;
Chen L (Chen L.)
;
Zhao JH (Zhao J. H.)
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浏览/下载:93/4
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提交时间:2010/09/07
cobalt compounds
doping
entropy
gallium arsenide
magnetic epitaxial layers
magnetocaloric effects
manganese compounds
molecular beam epitaxial growth
p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究
期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1896-1900
作者:
季海铭
;
曹玉莲
;
陈良惠
;
杨涛
;
马文全
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
p-type doping of GaInNAs quaternary alloys
期刊论文
physics letters a, 2008, 卷号: 373, 期号: 1, 页码: 165-168
Shi HL
;
Duan YF
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浏览/下载:235/53
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提交时间:2010/03/08
First-principles
Alloy
Doping
Formation energy
Transition energy
Band offset
显微光谱研究半绝缘GaAs带边以上E_0+△_0光学性质
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 7, 页码: 4213-4217
作者:
谭平恒
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/23
不同量子阱宽度的InP基In_(0.53)GaAs/In_(0.52)AlAs高电子迁移率晶体管材料二维电子气的性能研究
期刊论文
物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4955-4959
高宏玲
;
李东临
;
周文政
;
商丽燕
;
王宝强
;
朱战平
;
曾一平
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/23
GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究
期刊论文
光散射学报, 2006, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 106-114
李国华
;
马宝珊
;
王文杰
;
苏付海
;
丁琨
;
赵建华
;
邓加军
;
蒋春萍
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/11/23
Silicon doping induced increment of quantum dot density
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:
Duan RF
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
MBE
silicon
doping
density
InGaAs/GaAs
SAOD
INGAAS
ISLANDS
GAAS
非原生掺杂半绝缘磷化铟(InP)及其应用对比
期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 23, 页码: 1761-1762
董宏伟
;
赵有文
;
焦景华
;
曾一平
;
李晋闽
;
林兰英
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/11/23
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:94/4
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
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