GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究

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	GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究
	李国华 ; 马宝珊 ; 王文杰 ; 苏付海 ; 丁琨 ; 赵建华 ; 邓加军 ; 蒋春萍
刊名	光散射学报
	2006
卷号	18 期号:2 页码:106-114
中文摘要	理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模，证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支，而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2．6％到9％的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合，得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。
英文摘要	理论分析了两种阻尼条件下重掺杂GaAs中的等离子体激元-LO声子耦合模，证实在小阻尼条件下耦合模的拉曼谱分为两支，而在大阻尼条件下只有一个耦合模可以被观测到。推导得到了只出现一个耦合模所需的最小阻尼的解析表达式。测量了Mn组分从2．6％到9％的GaMnAs合金的拉曼光谱。利用等离子体激元-LO声子耦合模理论进行了谱形拟合，得到了所测的GaMnAs合金中的空穴浓度。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4267.pdf: 400008 bytes, checksum: 278935e8ce820fbea4ebc8768caf2ef8 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16621]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李国华,马宝珊,王文杰,等. GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究[J]. 光散射学报,2006,18(2):106-114.
APA	李国华.,马宝珊.,王文杰.,苏付海.,丁琨.,...&蒋春萍.(2006).GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究.光散射学报,18(2),106-114.
MLA	李国华,et al."GaMnAs合金中等离子体激元-LO声子耦合模的拉曼光谱研究".光散射学报 18.2(2006):106-114.