p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

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	p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究
	季海铭; 曹玉莲; 陈良惠; 杨涛; 马文全
刊名	物理学报
	2009
卷号	58 期号:3 页码:1896-1900
中文摘要	对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.
英文摘要	对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为17.5 cm~(-1),与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:00:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:00:10Z (GMT). No. of bitstreams: 1 3732.pdf: 498463 bytes, checksum: 4a84a5701a88a4e9203e34e422d569b1 (MD5) Previous issue date: 2009; 国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划(863),中国科学院"百人计划",国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/15815]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	季海铭,曹玉莲,陈良惠,等. p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究[J]. 物理学报,2009,58(3):1896-1900.
APA	季海铭,曹玉莲,陈良惠,杨涛,&马文全.(2009).p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究.物理学报,58(3),1896-1900.
MLA	季海铭,et al."p型掺杂1.3 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究".物理学报 58.3(2009):1896-1900.