QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高温退火后非掺杂磷化铟材料的电子辐照缺陷 期刊论文 物理学报, 2007, 卷号: 56, 期号: 3, 页码: 1603-1607 作者:  王博 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 489-493 尚也淳; 刘忠立; 孙国胜 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/23 低束流钕离子注入外延硅薄层的结构研究 期刊论文 核技术, 2003, 卷号: 26, 期号: 11, 页码: 823-826 曾宇昕; 程国安; 王水凤; 肖志松 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 C离子注入Si中Si-C合金的形成及其特征 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 8, 页码: 979 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算 期刊论文 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 698 奚雪梅; 赵清太; 张兴; 李映雪; 王阳元; 陈新; 王佑祥 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 作者:  魏鸿源 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/09/09 一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237087.3, 公开日期: 2011-08-31 作者:  范亚明;  张兴旺 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2011/08/31