Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究

	Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究
	尚也淳 ; 刘忠立 ; 孙国胜
刊名	固体电子学研究与进展
	2005
卷号	25 期号:4 页码:489-493
中文摘要	用LPCVD在si（111）上异质外延了n型3C-SiC，并在所外延的3C-SiC上蒸发Au／Ti，通过不同温度下的RTA（快速热退火）形成欧姆接触。用两种不同的传输线模型对Ti／3C-SiC欧姆接触的ρc（比接触电阻率）进行测量，在750℃退火后Ti／3C-SiC的ρc达到了最低值为3．68×10^-5Ω·cm^2这满足了应用的要求。AES分析结果还表明由于Ti的氧化，更高温度下的退火会使ρc增大。
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16847]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	尚也淳,刘忠立,孙国胜. Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究[J]. 固体电子学研究与进展,2005,25(4):489-493.
APA	尚也淳,刘忠立,&孙国胜.(2005).Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究.固体电子学研究与进展,25(4),489-493.
MLA	尚也淳,et al."Si上外延的n型3C-SiC欧姆接触研究".固体电子学研究与进展 25.4(2005):489-493.