大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算
	奚雪梅 ; 赵清太 ; 张兴 ; 李映雪 ; 王阳元 ; 陈新 ; 王佑祥
刊名	半导体学报
	1996
卷号	17 期号:9 页码:698
中文摘要	在大剂量氧注入硅形成SIMOX(separation by IMplanted OXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O~+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO_2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO_2内的快速扩散等等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序POISS(Program of Oxygen Implantaion intion Silicon Substrate),能够较为准确地反映SIMOX材料的特征厚度.本程序已用于该所的SIMOX材料研究制中.
英文摘要	在大剂量氧注入硅形成SIMOX(separation by IMplanted OXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O~+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO_2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO_2内的快速扩散等等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序POISS(Program of Oxygen Implantaion intion Silicon Substrate),能够较为准确地反映SIMOX材料的特征厚度.本程序已用于该所的SIMOX材料研究制中.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:13:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5919.pdf: 494117 bytes, checksum: f0712acb4cb6805ed1a525ebf1908c4a (MD5) Previous issue date: 1996; 北京大学微电子所;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19641]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	奚雪梅,赵清太,张兴,等. 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算[J]. 半导体学报,1996,17(9):698.
APA	奚雪梅.,赵清太.,张兴.,李映雪.,王阳元.,...&王佑祥.(1996).大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算.半导体学报,17(9),698.
MLA	奚雪梅,et al."大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算".半导体学报 17.9(1996):698.