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半导体研究所 [16]
内容类型
期刊论文 [13]
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专著 [1]
发表日期
2010 [1]
2006 [2]
1999 [2]
1997 [2]
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专题:半导体研究所
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InAs/In_x Ga_(1-x) Sb二类超晶格红外探测器的吸收波长与电子-空穴波函数交叠的研究
期刊论文
物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 5, 页码: 3099-3106
作者:
陈良惠
;
卫炀
;
马文全
;
黄建亮
;
杨涛
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2011/08/16
InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响
期刊论文
物理学报, 2006, 卷号: 55, 期号: 10, 页码: 5023-5029
刘玉敏
;
俞重远
;
杨红波
;
黄永箴
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
纳米半导体技术
专著
北京:化学工业出版社, 北京, 2006
作者:
叶小玲
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浏览/下载:357/0
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提交时间:2009/09/19
图形衬底上应变SiGe/Si超晶格的结构及光致发光研究
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 353
司俊杰
;
杨沁清
;
高俊华
;
滕达
;
王启明
;
郭丽伟
;
周均铭
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
温度引起的ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
期刊论文
半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 945
作者:
王杰
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/23
优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量
期刊论文
半导体学报, 1997, 卷号: 18, 期号: 2, 页码: 85
作者:
王玉田
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浏览/下载:192/85
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提交时间:2010/11/23
超晶格中GaAs/InGaAs界面与InGaAs/GaAs界面的特性差异
期刊论文
物理学报, 1997, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 1808
王小军
;
金星
;
张子平
;
郑联喜
;
肖智博
;
胡雄伟
;
王启明
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/11/23
InGaAs-GaAs短周期应变层超晶格调制反射光谱中的Franz-Keldysh振荡
期刊论文
半导体学报, 1994, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 83
作者:
江德生
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2010/11/23
超晶格的瓦尼尔-斯塔克效应
期刊论文
物理, 1994, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 487
作者:
江德生
收藏
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浏览/下载:173/0
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提交时间:2010/11/23
InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应
期刊论文
半导体学报, 1993, 卷号: 14, 期号: 8, 页码: 517
作者:
江德生
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/11/23
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