InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响

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	InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响
	刘玉敏 ; 俞重远 ; 杨红波 ; 黄永箴
刊名	物理学报
	2006
卷号	55 期号:10 页码:5023-5029
中文摘要	对量子点超晶格材料中量子点纵向周期和同层量子点的横向周期间距对量子点及其周围应变场分布的影响进行了系统的研究.结果表明，横向和纵向周期通过衬底材料之间的长程相互作用对量子点沿中心轴路径应变分布的影响效果正好相反，在适当条件下，两者对量子点应变场分布的影响可以部分抵消.同时也论证了在单层量子点和超晶格量子点材料中，计算量子点的电子结构时，应综合考虑量子点空间周期分布对载流子限制势的影响，不能简单的利用孤立量子点模型来代替.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16615]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘玉敏,俞重远,杨红波,等. InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响[J]. 物理学报,2006,55(10):5023-5029.
APA	刘玉敏,俞重远,杨红波,&黄永箴.(2006).InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响.物理学报,55(10),5023-5029.
MLA	刘玉敏,et al."InAs/GaAs透镜形量子点超晶格材料的纵向和横向周期对应变场分布的影响".物理学报 55.10(2006):5023-5029.