InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应 | |
江德生 | |
刊名 | 半导体学报 |
1993 | |
卷号 | 14期号:8页码:517 |
英文摘要 | 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:15:03导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:03Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6160.pdf: 147677 bytes, checksum: 4af51077cfaccd7c4f4db7bdccb9d854 (MD5) Previous issue date: 1993; 中科院半导体所;北京师范大学;中科院物理所 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20107] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 江德生. InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应[J]. 半导体学报,1993,14(8):517. |
APA | 江德生.(1993).InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应.半导体学报,14(8),517. |
MLA | 江德生."InGaAs/GaAs应变层短周期超晶格的Wannier-Stark效应".半导体学报 14.8(1993):517. |
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