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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polarity conversion of hydride vapor phase epitaxy growing GaN via growth interruption modulation 期刊论文 THIN SOLID FILMS, 2008, 卷号: 516, 期号: 12, 页码: 3772-3775 Lei, BL; Yu, GH; Ye, HH; Meng, S; Wang, XZ; Lin, C; Qi, M; Li, A; Nouet, G; Ruterana, P; Chen, J 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  OPTICAL-PROPERTIES  0001 SAPPHIRE  DEPENDENCE  FILMS  NITRIDATION  DIRECTION  SURFACES  LAYER   Structural analysis of thick GaN films grown by hydride vapour phase epitaxy 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC RESEARCH, 2004, 卷号: 241, 期号: 12, 页码: 2689-2692 Ruterana, P; Chen, J; Nouet, G; Lei, BL; Ye, HH; Yu, GH; Qi, M; Li, AZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 NITRIDATION  SAPPHIRE   BEHAVIOR OF TYPE-A AND TYPE-B HOLE TRAPS IN N-TYPE GAAS DURING LONG-PERIOD OPERATION 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 1992, 卷号: 35, 期号: 9, 页码: 1325-1329 ZHOU, JC; ZHAN, QB; FU, ZP; LU, DL; GUAN, LM; CHEN, HQ 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/25 LPE