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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SOI衬底上SiGe HBT材料与器件研究 学位论文 博士, 上海微系统与信息技术研究所: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所, 2009 陈超 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2012/03/06 绝缘层上硅(SOI)  含有硅化物埋层的SOI材料  SiGe HBT  三维电路   He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究 期刊论文 核技术, 2001, 期号: 04 张天昊; 翁惠民; 范扬眉; 杜江峰; 周先意; 韩荣典; 张苗; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2012/03/29 硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究 成果 鉴定: 无, 2000 张苗; 林成鲁; 宋志棠; 多新中; 黄继颇; 陈莉芝; 倪如山 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/04/12 硅中注氢热退火在晶体中产生的应力及其对晶体结构的影响 期刊论文 核技术, 2000, 期号: 03 多新中; 刘卫丽; 张苗; 高剑侠; 符晓荣; 林成鲁 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/03/29