He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究

	He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究
	张天昊 ; 翁惠民 ; 范扬眉 ; 杜江峰 ; 周先意 ; 韩荣典 ; 张苗 ; 林成鲁
刊名	核技术
	2001
期号	04
ISSN号	0253-3219
中文摘要	用慢正电子束探针测量了经剂量为 5× 10 16cm-2 的 140keVHe+ 注入的Si(10 0 )单晶S参数与正电子入射能量的关系 ,得到了注入产生缺陷的分布规律 ,发现近表面区域损伤不大 ,缺陷主要是直径小于 1nm的空位或空位团 ,较深的射程末端区域损伤严重 ,缺陷主要是微空洞和微气泡。对退火效应的研究表明 ,低温下退火空位缺陷得到了很好的消除 ,而高温下退火微空洞和微气泡发生融合 ,而且尺度增加
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/103968]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	张天昊,翁惠民,范扬眉,等. He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究[J]. 核技术,2001(04).
APA	张天昊.,翁惠民.,范扬眉.,杜江峰.,周先意.,...&林成鲁.(2001).He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究.核技术(04).
MLA	张天昊,et al."He~+注入Si(100)缺陷退火效应的慢正电子束研究".核技术 .04(2001).