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	硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究
	张苗 ; 林成鲁 ; 宋志棠 ; 多新中 ; 黄继颇 ; 陈莉芝 ; 倪如山
	2000
获奖类别	鉴定
获奖等级	无
中文摘要	开展了SOI 材料中纳米孔吸杂的研究,利用H+、He+ 注入将纳米孔引入到SOI 氧化埋层下面,对顶层硅中的金属杂质进行吸除。结果：发现了H+注入在不引起表层剥离情况下形成纳米孔层的剂量窗口,大剂量He+注入可在硅中产生密集气泡而不易引起表层硅剥离;研究了H+、He+注入单晶硅中缺陷的分布与退火行为,700oC以上退火,气体从气泡中逃逸出去,在硅体内留下纳米空腔,1000oC退火,纳米空腔演变为多面体;研究了Cu、Ni等杂质在SOI材料中扩散、纳米孔对杂质的吸除规律与机制,表明纳米孔吸杂高温下稳定,100
语种	中文
内容类型	成果
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/113750]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_成果
推荐引用方式 GB/T 7714	张苗,林成鲁,宋志棠,等. 硅中离子注入纳米孔层的形成及吸杂效应研究. 鉴定:无. 2000.

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