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| 包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101814429A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25 顾溢; 张永刚
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| InP基2—3μm波段量子阱研究 会议论文 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议, 2010 顾溢; 张永刚
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2012/01/18 |
| 不同生长温度下Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究 期刊论文 半导体学报, 1995, 期号: 02 朱南昌; 陈京一; 李润射; 许顺生; 周国良; 张翔九; 俞鸣人
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| Ge_(0.5)Si_(0.5)/Si应变层超晶格材料退火稳定性的X射线双晶衍射研究 期刊论文 半导体学报, 1995, 期号: 05 朱南昌; 陈京一; 胡文捷; 李润身; 许顺生; 周国良; 张翔九; 俞鸣人
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| SIMOX上分子束外延生长Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格的TEM研究 期刊论文 分析测试学报, 1994, 期号: 05 倪如山; 朱文化; 林成鲁
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| SIMOX上外延层的TEM研究 会议论文 第七次全国电子显微学会议论文摘要集, 1993-03 倪如山; 朱文化; 林成鲁
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2012/01/18 |
| SIMOX上外延层的TEM研究 期刊论文 电子显微学报, 1993, 期号: 02 倪如山; 朱文化; 林成鲁
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| 弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响 期刊论文 半导体学报, 1992, 期号: 06 毕文刚; 李爱珍
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| 半导体应变超晶格结构与界面的X射线双晶衍射研究 期刊论文 物理学报, 1991, 期号: 03 朱南昌; 李润身; 许顺生
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2012/03/29 |