SIMOX上外延层的TEM研究

	SIMOX上外延层的TEM研究
	倪如山 ; 朱文化 ; 林成鲁
	1993-03
会议名称	第七次全国电子显微学会议论文摘要集
会议日期	1993-03
中文摘要	<正> 氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs
会议录	第七次全国电子显微学会议论文摘要集
会议录出版者	《电子显微学报》编辑部
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/56594]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_国内会议论文
推荐引用方式 GB/T 7714	倪如山,朱文化,林成鲁. SIMOX上外延层的TEM研究[C]. 见:第七次全国电子显微学会议论文摘要集. 1993-03.