SIMOX上分子束外延生长Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格的TEM研究 | |
倪如山 ; 朱文化 ; 林成鲁 | |
刊名 | 分析测试学报
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1994 | |
期号 | 05 |
ISSN号 | 10044957 |
中文摘要 | 以分子束外延技术在SIMOX衬底上生长Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格。用剖面电子显微学(XTEM)对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明,Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格能成功地生长在SIMOX衬底上。由于Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)膜与SIMOX衬底之间的晶格失配,引起晶格畸变,Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)超晶格内存在的位错与SIMOX衬底内的位错密度有关。 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104251] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪如山,朱文化,林成鲁. SIMOX上分子束外延生长Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格的TEM研究[J]. 分析测试学报,1994(05). |
APA | 倪如山,朱文化,&林成鲁.(1994).SIMOX上分子束外延生长Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格的TEM研究.分析测试学报(05). |
MLA | 倪如山,et al."SIMOX上分子束外延生长Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格的TEM研究".分析测试学报 .05(1994). |
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