SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究

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	SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究
	倪如山 ; 朱文化 ; 林成鲁
刊名	分析测试学报
	1994
期号	05
ISSN号	10044957
中文摘要	以分子束外延技术在ＳＩＭＯＸ衬底上生长Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格。用剖面电子显微学（ＸＴＥＭ）对超晶格膜的结构进行分析。实验结果表明，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）应变层超晶格能成功地生长在ＳＩＭＯＸ衬底上。由于Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）膜与ＳＩＭＯＸ衬底之间的晶格失配，引起晶格畸变，Ｓｉ／Ｇｅ_（０．５）Ｓｉ_（０．５）超晶格内存在的位错与ＳＩＭＯＸ衬底内的位错密度有关。
语种	中文
公开日期	2012-03-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104251]
专题	上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所）
推荐引用方式 GB/T 7714	倪如山,朱文化,林成鲁. SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究[J]. 分析测试学报,1994(05).
APA	倪如山,朱文化,&林成鲁.(1994).SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究.分析测试学报(05).
MLA	倪如山,et al."SIMOX上分子束外延生长Si／Ge_（0．5）Si_（0．5）应变层超晶格的TEM研究".分析测试学报 .05(1994).