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一种混晶材料的制备方法及用该材料制备的半导体器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102064097A, 申请日期: 2011-05-18, 公开日期: 2011-05-18
王曦; 张苗; 薛忠营

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具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101752312A, 申请日期: 2010-06-23, 公开日期: 2010-06-23
张挺; 宋志棠; 刘波; 封松林

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一种三维光子晶体制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101724909A, 申请日期: 2010-06-09, 公开日期: 2010-06-09
王曦; 杨志峰; 武爱民; 魏星

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一种相变纳米晶体管单元器件及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101587905, 申请日期: 2009-11-25, 公开日期: 2009-11-25
周伟民; 宋志棠; 钮晓鸣; 刘彦伯; 闵国全; 李小丽; 万永中; 张静; 封松林

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一种纳米级柱状相变存储器单元阵列的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101546728, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 2009-09-30
冯高明; 宋志棠; 刘波; 封松林; 万旭东; 吴关平

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以单壁碳纳米管为电极的横向相变存储器的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101521177, 申请日期: 2009-09-02, 公开日期: 2009-09-02
宋志棠; 吕士龙

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HVPE方法生长GaN膜中使用的多孔材料衬底及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101514484, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2009-08-26
于广辉; 王新中; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍

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一种厚膜氮化镓与衬底蓝宝石自剥离的实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101488475, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 2009-07-22
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 卢海峰; 李晓良; 巩航; 齐鸣; 李爱珍

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HVPE方法生长氮化镓膜中的SiO₂纳米掩膜及方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101320686, 申请日期: 2008-12-10, 公开日期: 2008-12-10
王新中; 于广辉; 林朝通; 曹明霞; 巩航; 齐鸣; 李爱珍

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纳米微电极及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101306794, 申请日期: 2008-11-19, 公开日期: 2008-11-19
李刚; 周洪波; 孙晓娜; 朱壮晖; 姚源; 赵建龙

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