| 纳米微电极及制作方法 | |
| 李刚 ; 周洪波 ; 孙晓娜 ; 朱壮晖 ; 姚源 ; 赵建龙 | |
| 2008-11-19 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101306794 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种纳米微电极以及制作方法，其首先在铝片的一表面形成具有用于制作纳米电极的位 点窗口的第一绝缘层，然后采用电化学方法在所述位点窗口处形成氧化铝纳米孔，接着在所 述氧化铝纳米孔中填充导电材料以形成纳米电极，再通过Lift-off方法或图形化腐蚀方法在 第一绝缘层表面沉积金属层，并进而形成包含所述纳米电极的金属连接线和金属焊接位点的 图形化金属层，然后在所述图形化金属层形成具有焊点窗口的第二绝缘层，并使所述焊点窗 口处于所述金属焊接位点处，最后通过化学腐蚀或电化学腐蚀法腐蚀所述铝片以形成由绝缘 材料、金属、及 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2008-11-19 |
| 申请日期 | 2008-01-30 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200810033265.6 |
| 专利代理 | 余明伟 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48847]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李刚,周洪波,孙晓娜,等. 纳米微电极及制作方法. CN101306794. 2008-11-19. |
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