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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法 专利 专利号: CN201010256968.2, 申请日期: 2012-10-03, 公开日期: 2010-12-08 作者:  刘梦新;  韩郑生;  赵超荣;  刘刚 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/04/08 一种可调整量程的堆叠测量电路 专利 专利号: CN201010256952.1, 申请日期: 2012-07-25, 公开日期: 2011-01-05 作者:  赵超荣;  刘刚;  刘梦新;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/04/08 基于SOI工艺的半导体辐照探测技术研究 会议论文 作者:  刘梦新;  韩郑生;  刘刚;  卜建辉;  赵发展 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2015/09/07 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计 专利 专利号: CN200710179354.7, 申请日期: 2010-12-08, 公开日期: 2009-06-17 作者:  赵超荣;  刘梦新;  韩郑生;  刘刚 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26