基于SOI工艺的半导体辐照探测技术研究

CORC > 微电子研究所 > 中国科学院微电子研究所 > 硅器件与集成研发中心

	基于SOI工艺的半导体辐照探测技术研究
	刘梦新; 韩郑生; 刘刚; 卜建辉; 赵发展
	2011-11-18
英文摘要	研究了半导体电离辐照探测基本原理和物理机制，探讨了利用SOI背栅作为电离辐照剂量计的可行性，并设计了一种基于SOI技术可完成不同量级范围测量的新型双探头PMOS电离辐照剂量计，开发出与之相配套的远程在线实时监测系统，经验证可满足空间电离辐照探测需求，此外还探讨了针对此类剂量计的可调整量程的堆叠测量电路结构，及通过对PMOS剂量计的退火过程及偏置条件、退火温度和时间调节的控制，可保证该剂量计的再生利用
会议录	第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
语种	中文
内容类型	会议论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/13476]
专题	微电子研究所_硅器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘梦新,韩郑生,刘刚,等. 基于SOI工艺的半导体辐照探测技术研究[C]. 见:.