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| 非挥发性阻变存储器件及其制备方法 专利
专利号: US10134983, 申请日期: 2018-11-20, 公开日期: 2016-08-11
作者: 刘琦 ; 刘明; 孙海涛; 张科科; 龙世兵
  收藏 | 浏览/下载：35/0 | 提交时间：2019/03/27 |
| Classification of Three-Level Random Telegraph Noise and Its Application in Accurate Extraction of Trap Profiles in Oxide-Based Resistive Switching Memory 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者: Gong TC(龚天成); Xu XX(许晓欣); Yu J(余杰); Dong DN(董大年); Lv HB(吕杭炳)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者: Huo ZL(霍宗亮); An Zhang; Hongtao Liu; Zou XQ(邹兴奇); Jin L(靳磊)
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2019/05/22 |
| Proton Radiation Effects on Y-Doped HfO2-Based Ferroelectric Memory 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者: Wang Y(王艳); Hu Y(胡媛); Cao RR(曹荣荣); Shi T(时拓); Liu Q(刘琦)
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2019/04/10 |
| The impact of RTN signal on array level resistance fluctuation of resistive random access memory 期刊论文
Electron Device Letters, 2018
作者: Xu XX(许晓欣); Chen CB(陈传兵); Liu J(刘璟); Dong DN(董大年); Yuan P(袁鹏)
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/04/18 |
| Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2018
作者: Huo ZL(霍宗亮); Chen GX(陈国星); Zhang Y(张瑜); Jiang DD(姜丹丹); Jin L(靳磊)
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/05/22 |
| Voltage-Controlled Magnetic Tunnel Junctions for Processing-In-Memory Implementation 期刊论文
IEEE Electron Device Letters, 2018
作者: Yangqi Huang; Zhao C(赵超); Kang L.Wang; Weisheng Zhao; Wang LZ(王乐知)
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2019/05/20 |
| 一种对磁多畴态进行调控的方法 专利
专利号: US9779836, 申请日期: 2017-10-03, 公开日期: 2015-09-17
作者: 毕冲; 龙世兵; 刘明
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2018/07/19 |
| Uniformity and Retention Improvement of TaOx-Based Conductive Bridge Random Access Memory by CuSiN Interfacial Layer Engineering 期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017
作者: Gong TC(龚天成); Luo Q(罗庆); Xu XX(许晓欣); Yuan P(袁鹏); Chen CB(陈传兵)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2018/07/13 |
| Highly uniform and nonlinear selection device based on trapezoidal band structure for high density nanocrossbar memory array 期刊论文
Nano Research, 2017
作者: Luo Q(罗庆); Xu XX(许晓欣); Lv HB(吕杭炳); Gong TC(龚天成); Long SB(龙世兵)
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2018/07/13 |
