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| A Novel Nanofabrication Technique of Silicon-Based Nanostructures 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2016
作者: Meng LK(孟令款); He XB(贺晓彬); Gao JF(高建峰); Li JJ(李俊杰)
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| Gate patterning in 14 nm and beyond nodes: from planar devices to three dimensional Finfet devicesLingkuan 期刊论文
Applied Surface Science, 2016
作者: Meng LK(孟令款); Hong PZ(洪培真) ; He XB(贺晓彬); Li CL(李春龙); Li JJ(李俊杰)
收藏 | 浏览/下载：17/0 | 提交时间：2017/05/09 |
| Novel top-down fabrication of Si-based nanostructures with sub-20nm scale 期刊论文
IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, 2016
作者: Meng LK(孟令款); Yan J(闫江)
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| 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 专利
专利号: US9419095, 申请日期: 2016-08-16, 公开日期: 2014-06-12
作者: 李春龙; 李俊峰; 闫江; 赵超
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2017/06/12 |
| 半导体结构及其制造方法 专利
专利号: US9397007, 申请日期: 2016-07-19, 公开日期: 2014-07-10
作者: 杨达; 钟汇才; 梁擎擎; 赵超
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: US9385212, 申请日期: 2016-07-05, 公开日期: 2016-03-10
作者: 秦长亮; 马小龙; 王桂磊; 朱慧珑; 殷华湘
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: US9337102, 申请日期: 2016-05-10, 公开日期: 2016-03-17
作者: 王桂磊; 殷华湘; 秦长亮; 马小龙; 朱慧珑
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US9306016, 申请日期: 2016-04-05, 公开日期: 2014-02-27
作者: 钟汇才; 赵超; 梁擎擎
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| 半导体器件制造方法 专利
专利号: US9331172, 申请日期: 2016-03-03, 公开日期: 2014-03-20
作者: 李春龙; 李俊峰; 闫江; 孟令款; 贺晓彬
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| 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 专利
专利号: US9111863, 申请日期: 2015-08-18, 公开日期: 2014-06-12
作者: 李俊峰; 闫江; 赵超; 李春龙
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