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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构 专利 专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03 作者:  徐静波;  张海英;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2010/11/26 单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构 专利 专利号: CN200710178311.7, 申请日期: 2010-02-17, 公开日期: 2009-06-03 作者:  徐静波;  张海英;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/26 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料 专利 专利号: CN200710063375.2, 申请日期: 2009-12-16, 公开日期: 2008-07-16 作者:  叶甜春;  尹军舰;  徐静波;  张海英 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/26 实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料 专利 专利号: CN200710063372.9, 公开日期: 2008-07-16 作者:  张海英;  尹军舰;  徐静波;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/26 砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构 专利 专利号: CN200710177794.9, 公开日期: 2009-05-27 作者:  张海英;  徐静波;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/11/26