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微电子研究所 [19]
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期刊论文 [11]
专利 [8]
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2018 [1]
2017 [1]
2015 [1]
2011 [1]
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专题:微电子研究所
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基于MEMS的原位液体TEM芯片的设计与制作
期刊论文
微纳电子技术, 2018
作者:
焦磊涛
;
欧文
;
蒋文静
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2019/04/25
面向红外光源的辐射自增强非晶碳薄膜性能
期刊论文
微纳电子技术, 2017
作者:
刘卫兵
;
熊继军
;
王玮冰
;
毛海央
;
孙西龙
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/05/14
高效率X射线光刻在单级光栅研制中的应用
期刊论文
微纳电子技术, 2015
作者:
谢常青
;
朱效立
;
施百龄
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2016/05/24
一种微尖端阵列器件及其制作方法
专利
专利号: CN200710176936.X, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2009-05-13
作者:
傅剑宇
;
陈大鹏
;
叶甜春
;
欧毅
;
景玉鹏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2010/11/26
一种纳米级沟道有机场效应晶体管及其制备方法
专利
专利号: CN200810227456.6, 申请日期: 2010-08-11, 公开日期: 2009-05-06
作者:
刘舸
;
刘兴华
;
商立伟
;
涂德钰
;
刘明
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/11/26
钨钛合金纳米晶浮栅结构及其制备方法
专利
专利号: CN200910078478.5, 申请日期: 2010-07-07, 公开日期: 2009-07-29
作者:
刘明
;
龙世兵
;
王琴
;
杨仕谦
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/26
电荷俘获存储器中俘获层的研究进展
期刊论文
微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 9, 页码: 8,518-524,539
作者:
刘璟
;
杨仕谦
;
王永
;
杨潇楠
;
陈军宁
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/06/01
高k材料
非挥发性存储器(nvm) 电荷俘获存储器
俘获层
隧穿层
纳米晶浮栅存储器的模拟、制备和电学特性
期刊论文
微纳电子技术, 2009, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 6,70-74,90
作者:
管伟华
;
胡媛
;
李志刚
;
龙世兵
;
陈军宁
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/06/01
纳米晶
保持特性
高介电常数隧穿介质
金属纳米晶
浮栅存储器
电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用
期刊论文
微纳电子技术, 2008, 卷号: 45, 期号: 12, 页码: 6,683-688
作者:
任黎明
;
徐秋霞
;
王琴
;
谢常青
;
朱效立
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/05/27
电子束光刻
可制造性设计在纳米SOC中的应用和发展
期刊论文
微纳电子技术, 2007, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 7,282_288
作者:
刘明
;
赵珉
;
杨清华
;
陈宝钦
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/05/26
可制造性设计
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