QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利 专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18 作者:  刘刚;  刘梦新;  毕津顺;  罗家俊;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2016/04/01 一种III-V族半导体镍金属化制造方法 专利 申请日期: 2011-12-20, 公开日期: 2012-11-20 作者:  刘洪刚;  王虹;  卢力;  常虎东;  孙兵 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2012/11/20