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新疆理化技术研究所 [5]
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专利 [2]
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2017 [1]
2011 [1]
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专题:新疆理化技术研究所
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一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
专利
申请日期: 2018-05-15,
作者:
崔江维
;
郑齐文
;
魏莹
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2019/08/06
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法
专利
申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09
作者:
崔江维
;
郑齐文
;
魏莹
;
孙静
;
余学峰
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/08/06
沟道宽度对65nm金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究
期刊论文
电子学报, 2018, 卷号: 46, 期号: 5, 页码: 1128-1132
作者:
崔江维
;
郑齐文
;
余德昭
;
周航
;
苏丹丹
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2018/07/06
65nm
负偏压温度不稳定性
沟道宽度
纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法
期刊论文
固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437
作者:
崔江维
;
郑齐文
;
余徳昭
;
周航
;
苏丹丹
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2018/01/18
纳米器件
P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
负偏压温度不稳定性
深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究
会议论文
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议, 三亚, 2011
作者:
余学峰
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/04/09
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