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苏州纳米技术与纳... [100]
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2018 [6]
2017 [13]
2016 [21]
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专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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The influence of thermal annealing process after GaN cap layer growth on structural and optical properties of InGaN/InGaN multi-quantum wells
期刊论文
Optical Materials, 2018
作者:
Yang, J.
;
Liu, S.T.
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浏览/下载:64/0
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提交时间:2019/03/27
Anomalous electroluminescent blue-shift behavior induced by well widths variance and localization effect in InGaN/GaN multi-quantum wells
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2018
作者:
Liu, Zongshun
;
Peng, Liyuan
;
Zhao, Degang
;
Jiang, Desheng
;
Zhu, Jianjun
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2019/03/27
The role of temperature ramp-up time before barrier layer growth in optical and structural properties of InGaN/GaN multi-quantum wells
期刊论文
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2018
作者:
Zhao, Degang
;
Xing, Yao
;
Liu, Wei
;
Li, Mo
;
Wang, Wenjie
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2019/03/27
Effect of carrier transfer process between two kinds of localized potential traps on the spectral properties of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
OPTICS EXPRESS, 2018
作者:
Zhao, Degang
;
Jiang, Desheng
;
Shi, Dongping
;
Zhu, Jianjun
;
Liu, Zongshun
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/03/27
衬底斜切角对氮化镓基材料生长与光电性质影响研究
学位论文
: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 2018
作者:
江灵荣
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2019/03/28
斜切角,GaN,InGaN,表面形貌,光电特性
Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si
期刊论文
LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2018
作者:
Li, Zengcheng(李增成)
;
Li, Deyao(李德尧)
;
Zhang, Shuming(张书明)
;
Yang, Hui(杨辉)
;
Ikeda, Masao
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2019/03/27
Output light power of InGaN-based violet laser diodes improved by using a u-InGaN/GaN/AlGaN multiple upper waveguide
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017
作者:
Liang, Feng
;
Zhao, De-Gang
;
Jiang, De-Sheng
;
Liu, Zong-Shun
;
Zhu, Jian-Jun
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2018/02/05
Performance Enhanced by Inserting an InGaN/GaN Shallower-Quantum Well Layer in InGaN Based Green Laser Diodes
期刊论文
IEEE PHOTONICS JOURNAL, 2017
作者:
Yang, Jing
;
Zhao, Degang
;
Jiang, Desheng
;
Chen, Ping
;
Zhu, Jianjun
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/02/05
Analysis of localization effect in blue-violet light emitting InGaN/GaN multiple quantum wells with different well widths
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2017
作者:
Li, Xiang
;
Zhao, De-Gang
;
Jiang, De-Sheng
;
Yang, Jing
;
Chen, Ping
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2018/02/05
Asymmetrical quantum well degradation of InGaN/GaN blue laser diodes characterized by photoluminescence
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017
作者:
Wen, Pengyan(温鹏雁)
;
Liu, Jianping(刘建平)
;
Zhang, Shuming(张书明)
;
Zhang, Liqun(张利群)
;
Ikeda, Masao
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/02/05
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