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物理研究所 [9]
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Determining polarity and dislocation core structures at atomic level for epitaxial AlN/(0001)6H-SiC from a single image in HRTEM
期刊论文
ULTRAMICROSCOPY, 2013, 卷号: 126, 页码: 77
Cui, YX
;
Wang, YM
;
Wen, C
;
Ge, BH
;
Li, FH
;
Chen, Y
;
Chen, H
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2014/01/16
High resolution transmission electron microscopy
Image deconvolution
Polarity
Partial dislocation
AIN
Electronic structure of YMn2O5 studied by EELS and first-principles calculations
期刊论文
FRONTIERS OF PHYSICS, 2012, 卷号: 7, 期号: 4, 页码: 429
Chen, Z
;
Xiao, RJ
;
Ma, C
;
Qin, YB
;
Shi, HL
;
Wang, ZW
;
Song, YJ
;
Wang, Z
;
Tian, HF
;
Yang, HX
;
Li, JQ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2013/09/17
POWDER DIFFRACTION DATA
EDGE FINE-STRUCTURE
1ST PRINCIPLES
METAL-OXIDES
SPECTRA
NIO
High-power tunable narrow-linewidth Ti:sapphire laser at repetition rate of 1 kHz
期刊论文
APPLIED OPTICS, 2012, 卷号: 51, 期号: 22, 页码: 5527
Wang, R
;
Wang, N
;
Teng, H
;
Wei, ZY
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/09/17
FREQUENCY
SYSTEM
Crystal growth of AlN: Effect of SiC substrate
期刊论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2012, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 401
Zuo, SB
;
Chen, XL
;
Jiang, LB
;
Bao, HQ
;
Wang, J
;
Guo, LW
;
Wang, WJ
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2013/09/17
BULK ALUMINUM NITRIDE
SUBLIMATION GROWTH
SINGLE-CRYSTALS
NATIVE ALN
NUCLEATION
MORPHOLOGY
EPITAXY
Growth of AlN single crystals on 6H-SiC (0001) substrates with AlN MOCVD buffer layer
期刊论文
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY, 2012, 卷号: 47, 期号: 2, 页码: 139
Zuo, SB
;
Wang, J
;
Chen, XL
;
Jin, SF
;
Jiang, LB
;
Bao, HQ
;
Guo, LW
;
Sun, W
;
Wang, WJ
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2013/09/17
BULK ALUMINUM NITRIDE
SUBLIMATION GROWTH
OPTICAL-PROPERTIES
SEEDED GROWTH
NUCLEATION
EPITAXY
FILMS
GAN
Stress Control in GaN Grown on 6H-SiC by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 28, 期号: 4
Chen, Y
;
Jiang, Y
;
Xu, PQ
;
Ma, ZG
;
Wang, XL
;
Wang, L
;
Jia, HQ
;
Chen, H
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2013/09/24
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
GALLIUM NITRIDE
BUFFER LAYERS
STRAIN
ALN
FILMS
HETEROSTRUCTURES
PHOTOLUMINESCENCE
Raman scattering and magnetizations studies of (Al, Cr)-codoped 4H-SiC
期刊论文
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2011, 卷号: 323, 期号: 22, 页码: 2876
Song, B
;
Chen, XL
;
Han, JC
;
Wang, G
;
Bao, HQ
;
Duan, LB
;
Zhu, KX
;
Li, H
;
Zhang, ZH
;
Wang, WY
;
Wang, WJ
;
Zhang, XH
;
Meng, SH
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/24
HIGH-TEMPERATURE FERROMAGNETISM
6H-SIC SINGLE-CRYSTALS
MAGNETIC-PROPERTIES
DOPED ALN
SILICON-CARBIDE
ZINC-OXIDE
THIN-FILMS
MN
GROWTH
SEMICONDUCTORS
国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜
期刊论文
发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 9, 页码: 896
Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2013/09/23
Influence of threading dislocations on the near-bandedge photoluminescence of wurtzite GaN thin films on SiC substrate
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2000, 卷号: 77, 期号: 9, 页码: 1316
Qiu, XG
;
Segawa, Y
;
Xue, QK
;
Xue, QZ
;
Sakurai, T
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/09/18
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ALN BUFFER LAYERS
SURFACE
EPITAXY
MORPHOLOGY
DEFECTS
YELLOW
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