国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜 | |
Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H | |
刊名 | 发光学报
![]() |
2011 | |
卷号 | 32期号:9页码:896 |
收录类别 | EI |
公开日期 | 2013-09-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.iphy.ac.cn/handle/311004/48671] ![]() |
专题 | 物理研究所_物理所公开发表论文_物理所公开发表论文_期刊论文 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H. 国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜[J]. 发光学报,2011,32(9):896. |
APA | Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H.(2011).国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜.发光学报,32(9),896. |
MLA | Chen Y,Wang WX, Li Y, Jiang Y, Xu PQ, Ma ZG, Song J, Chen H."国产SiC 衬底上利用AlN 缓冲层生长高质量GaN 外延薄膜".发光学报 32.9(2011):896. |
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