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西安交通大学 [5]
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2015 [2]
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TCAD Simulation for nonresonant terahertz detector based on double-channel GaN/AlGaN high-electron-mobility transistor
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 页码: 4807-4813
作者:
Meng, Qingzhi
;
Lin, Qijing
;
Jing, Weixuan
;
Han, Feng
;
Zhao, Man
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2019/11/19
Computational model
Double channel
High electron mobility transistor (HEMT)
Noise equivalent power
Nonresonant
Photoresponses
Responsivity
Terahertz detectors
Numerical Simulation of Bias Effect on Dose Rate Effect of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor
期刊论文
Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2017, 卷号: 51, 页码: 549-554
作者:
Ma, Ting
;
Zhang, Jin-Xin
;
He, Chao-Hui
;
Tang, Du
;
Li, Pei
收藏
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浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Bias effects
Different biases
Dose-rate effects
Reverse bias
SiGe heterojunction bipolar transistor
TCAD software
Three-dimensional numerical simulations
Transient current
A FAST 3-D TCAD STRUCTURE GENERATION METHOD FOR FINFET DEVICES AND CIRCUITS SIMULATION
会议论文
作者:
Gu, Yuwei
;
Wei, Chengqing
;
Zhang, Guohe
;
Shi, Xuejie
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2019/12/02
Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: [db:dc_citation_issue]
作者:
Li Pei
;
Guo Hong-Xia
;
Guo Qi
;
Zhang Jin-Xin
;
Xiao Yao
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/02
laser microbeam experiment
SiGe heterojunction bipolar transistor
single event effect
three-dimensional numerical simulation
Recent results of the 3D-stripixel Si detectors
会议论文
作者:
Li, Zheng
;
Bassignana, D.
;
Chen, Wei
;
Liu, Shuhuan
;
Lynn, David
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/02
Radiation hard detector
TCAD simulation
Stripixel
3D-Stripixel detectors
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