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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 期刊论文 原子能科学技术, 2000, 期号: 4, 页码: 350-354 作者:  张正选;  罗晋生;  袁仁峰;  张廷庆;  姜景和 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 硅栅PMOSFET  二氟化硼  辐射感生界面陷阱   MOSFET参数分析仪的研究及其应用 学位论文 1993 作者:  董帅卿 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 MOS场效应晶体管参数分析仪器   高频全集成MOSFET-C THOMAS-TOW滤波器的极点分析 期刊论文 西安交通大学学报, 1992, 期号: 5, 页码: 89-96 作者:  巫志媛;  邱关源 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 高频率  极点分析  MOS场效应晶体管  集成滤波器   MOSFET有效场迁移率自动测试系统研制及其应用 学位论文 1992 作者:  高捷 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 迁移率MOS场效应晶体管测量系统   VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析 期刊论文 电子科学学刊, 1991, 期号: 6, 页码: 618-624 作者:  刘晓梅;  胡蓉香;  罗晋生;  李中江 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/07 击穿  功率晶体管  数值模拟  MOS场效应晶体管   集成MOSFET跨导结构非线性的谐波分析法 期刊论文 西安交通大学学报, 1990, 期号: 2, 页码: 99-110 作者:  巫志媛;  邱关源 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/08 MOS 场效应晶体管  非线性集成电路  集成滤波器  谐波失真