| BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量 | |
| 张正选; 罗晋生; 袁仁峰; 张廷庆; 姜景和 | |
| 刊名 | 原子能科学技术
 |
| 2000 | |
| 期号 | 4页码:350-354 |
| 关键词 | 硅栅PMOSFET 二氟化硼 辐射感生界面陷阱 |
| ISSN号 | 1000-6931 |
| DOI | 10.3969/j.issn.1000-6931.2000.04.012 |
| URL标识 | 查看原文 |
| 收录类别 | CSCD ; PKU |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6625631 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张正选,罗晋生,袁仁峰,等. BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量[J]. 原子能科学技术,2000(4):350-354. |
| APA | 张正选,罗晋生,袁仁峰,张廷庆,&姜景和.(2000).BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量.原子能科学技术(4),350-354. |
| MLA | 张正选,et al."BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量".原子能科学技术 .4(2000):350-354. |
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