| VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析 | |
| 刘晓梅; 胡蓉香; 罗晋生; 李中江 | |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 1991 | |
| 期号 | 6页码:618-624 |
| 关键词 | 击穿 功率晶体管 数值模拟 MOS场效应晶体管 |
| ISSN号 | 0258-798X |
| URL标识 | 查看原文 |
| 内容类型 | 期刊论文 |
| URI标识 | http://www.corc.org.cn/handle/1471x/6651724 |
| 专题 | 西安交通大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘晓梅,胡蓉香,罗晋生,等. VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析[J]. 电子科学学刊,1991(6):618-624. |
| APA | 刘晓梅,胡蓉香,罗晋生,&李中江.(1991).VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析.电子科学学刊(6),618-624. |
| MLA | 刘晓梅,et al."VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析".电子科学学刊 .6(1991):618-624. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论