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中国科学院大学 [1]
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期刊论文 [5]
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2015 [1]
2014 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2004 [1]
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New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Gate Bias Stress-Induced Threshold Voltage Shift Effect of a-IGZO TFTs with Cu Gate
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2014
Liu, Xiang
;
Wang, Lisa Ling
;
Ning, Ce
;
Hu, Hehe
;
Yang, Wei
;
Wang, Ke
;
Yoo, Seong Yeol
;
Zhang, Shengdong
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/10
Amorphous indium gallium zinc oxide thin-film transistors (a-IGZO TFTs)
copper diffusion
copper gate
stacked gate insulator
threshold voltage shift
THIN-FILM TRANSISTORS
Molecular orientation and interface compatibility for high performance organic thin film transistor based on vanadyl phthalocyanine
期刊论文
Journal of physical chemistry b, 2008, 卷号: 112, 期号: 34, 页码: 10405-10410
作者:
Li, Liqiang
;
Tang, Qingxin
;
Li, Hongxiang
;
Hu, Wenping
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/05/10
A three-dimensional stacked Fin-CMOS technology for high-density ULSI circuits
期刊论文
ieee电子器件汇刊, 2005
Wu, XS
;
Chan, PCH
;
Zhang, SD
;
Feng, CG
;
Chan, M
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/12
CMOSFET
FinFET
silicon-on-insulator (SOI)
three-dimensional integrated circuits (3-D IC)
GATE
A stacked CMOS technology on SOI substrate
期刊论文
ieee electron device letters, 2004
Zhang, SD
;
Han, RQ
;
Lin, XN
;
Wu, XS
;
Chan, MS
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/10
double-gate
self-alignment
SOICMOS
3-D integration
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