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| 应变硅n-MOSFET中电子迁移率的增强及其温度特性 期刊论文
2010, 2010
张侃; 梁仁荣; 徐阳; 许军; ZHANG Kan; LIANG Renrong; XU Yang; XU Jun
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| 采用SiGe虚拟衬底高迁移率应变硅材料的制备和表征(英文) 期刊论文
2010, 2010
梁仁荣; 张侃; 杨宗仁; 徐阳; 王敬; 许军; Liang Renrong; Zhang Kan; Yang Zongren; Xu Yang; Wang Jing; Xu Jun
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| 多层复合结构应变硅材料的生长和特性 期刊论文
2010, 2010
梁仁荣; 王敬; 徐阳; 许军; 李志坚; LIANG Renrong; WANG Jing; XU Yang; XU Jun; LI Zhijian
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| 纳米CMOS电路的应变Si衬底制备技术 期刊论文
2010, 2010
陈长春; 刘江锋; 余本海; 戴启润; 刘志弘; CHEN Chang-chun; LIU Jiang-feng; YU Ben-hai; DAI Qi-run; LIU Zhi-hong
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| Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文
2009
廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
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| 氧化对SOI基SiGe薄膜残余应变弛豫的影响 期刊论文
半导体学报, 2006, 期号: 01
金波; 王曦; 陈静; 张峰; 程新利; 陈志君
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| 高浓度弛豫SiGe/SOI材料的制备研究 期刊论文
苏州科技学院学报, 2006, 期号: 01
程新利; 张峰
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/01/06
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| SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究 期刊论文
核技术, 2005, 期号: 04
陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰
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| 带隙法测定SiGe／Si材料的应变状态 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4350-4353
作者: 成步文 ; 薛春来; 左玉华
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| 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875
作者: 成步文
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2010/11/23 |
