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| Exciton emission of quasi-2D InGaN in GaN matrix grown by molecular beam epitaxy 期刊论文
Scientific Reports, 2017, 卷号: 7, 页码: 46420
作者: Dingyu Ma; Xin Rong; Xiantong Zheng; Weiying Wang; Ping Wang
  收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2018/05/23 |
| Optimization of growth and fabrication techniques to enhance the InGaN/GaN multiple quantum well solar cells performance 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 109, 页码: 194-200
作者: Shiming Liu; Quan Wang; Hongling Xiao; Kun Wang; Cuimei Wang
收藏 | 浏览/下载：34/0 | 提交时间：2018/05/23 |
| 图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响 期刊论文
材料导报, 2016, 卷号: 30, 页码: 31-34,54
作者: 李宝吉[1]; 吴渊渊[2]; 陆书龙[3]; 张继军[4]
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/04/26
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| 图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响 期刊论文
材料导报, 2016, 卷号: 30, 页码: 31
作者: 李宝吉[1]; 吴渊渊[2]; 陆书龙[3]; 张继军[4]
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/04/26
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| InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较 期刊论文
2015
姚琦; 林思棋; 郭自泉; 陈国龙; 张纪红; 吕毅军
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/05/17
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| Advantages of InGaN Light Emitting Diodes With Alternating Quantum Barriers 期刊论文
journal of display technology, 2015, 卷号: 11, 期号: 5, 页码: 456-460
Yujue Yang; Lian Zhang; Tongbo Wei; Yiping Zeng
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2016/03/29 |
| Observation of a Current Plateau in the Transfer Characteristics of InGaN/AlGaN/AlN/GaN Heterojunction Field Effect Transistors 期刊论文
chin. phys. lett., 2015, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 127301
Yan Jun-Da; Wang Quan; Wang Xiao-Liang; Xiao Hong-Ling; Jiang Li-Juan; Yin Hai-Bo; Feng Chun; Wang Cui-Mei; Qu Shen-Qi; Gong Jia-Min; Zhang Bo; Li Bai-Quan; Wang Zhan-Guo; Hou Xun
收藏 | 浏览/下载：31/0 | 提交时间：2016/03/29 |
| Intersubband Transition in GaN/InGaN Multiple Quantum Wells 期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 11485
G. Chen; X.Q. Wang; X. Rong; P. Wang; F.J. Xu; N. Tang; Z.X. Qin; Y.H. Chen; B. Shen
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2016/03/22 |
| Efficiency Droop Reduction in InGaN LEDs by Alternating AlGaN Barriers With GaN Barriers 期刊论文
ieee photonics technology letters, 2015, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 844-847
Yujue Yang; Yiping Zeng
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2016/03/29 |
| Improved hole distribution in InGaN light-emitting diodes with InGaN-GaN barriers of decreasing indium composition 期刊论文
physica status solidi a-applications and materials science, 2015, 卷号: 212, 期号: 8, 页码: 1805-1809
Yujue Yang; Yiping Zeng
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2016/03/29 |
