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	图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响
	李宝吉[1]; 吴渊渊[2]; 陆书龙[3]; 张继军[4]
刊名	材料导报
	2016
卷号	30页码:31-34,54
关键词	InGaN 图形化衬底 分子束外延 晶体质量
ISSN号	1005-023X
URL标识	查看原文
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2229988
专题	上海大学
作者单位	1.[1]上海大学材料科学与工程学院,上海200444 2.中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及先进材料研究部,苏州215123[2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及先进材料研究部,苏州215123[3]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,纳米器件及先进材料研究部,苏州215123[4]上海大学材料科学与工程学院,上海,200444
推荐引用方式 GB/T 7714	李宝吉[1],吴渊渊[2],陆书龙[3],等. 图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响[J]. 材料导报,2016,30:31-34,54.
APA	李宝吉[1],吴渊渊[2],陆书龙[3],&张继军[4].(2016).图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响.材料导报,30,31-34,54.
MLA	李宝吉[1],et al."图形化衬底对高In组分InGaN材料分子束外延(MBE)生长的影响".材料导报 30(2016):31-34,54.

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