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科研机构
西北工业大学 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2012 [2]
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Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200301035&dbname=CJFQ2003, 2012, 2012
李国强
;
谷智
;
介万奇
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提交时间:2017/06/16
Cd0.9Zn0.1Te
Cd补偿垂直布里奇曼法
EPD
红外透过率
电阻率
近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀
期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200803027&dbname=CJFQ2008, 2012, 2012
董阳春
;
王领航
;
介万奇
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/06/16
碲铟汞
缺陷
腐蚀坑
半导体材料
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