近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀

CORC > 西北工业大学

	近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀
	董阳春 ; 王领航 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200803027&dbname=CJFQ2008
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	碲铟汞缺陷腐蚀坑半导体材料
中文摘要	研究了HgInTe的腐蚀工艺,探索出一种适合于HgInTe的腐蚀液,并对腐蚀原理做了分析。利用该腐蚀液对HgInTe晶体内部的缺陷种类和分布进行了研究。结果表明,垂直轴向切割的HgInTe晶片腐蚀后的位错蚀坑呈近等腰三角形。在本实验条件下,位错蚀坑密度EPD(etch-pitdensity)约在105/cm2数量级。HgInTe晶体中的位错墙主要以边重叠和角重叠两种方式排列而成。HgInTe中存在少量由内应力引起的微裂纹。该腐蚀液能有效地显示HgInTe晶体不同晶面的多种缺陷,腐蚀效果较好。
语种	中文
出版者	人工晶体学报
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/213]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	董阳春,王领航,介万奇. 近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200803027&dbname=CJFQ2008,2012, 2012.
APA	董阳春,王领航,&介万奇.(2012).近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200803027&dbname=CJFQ2008.
MLA	董阳春,et al."近红外半导体材料HgInTe的缺陷腐蚀".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=RGJT200803027&dbname=CJFQ2008 (2012).