Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体

CORC > 西北工业大学

	Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体
	李国强 ; 谷智 ; 介万奇
刊名	http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200301035&dbname=CJFQ2003
	2012-04-24 ; 2012-04-24
关键词	Cd0.9Zn0.1Te Cd补偿垂直布里奇曼法 EPD 红外透过率电阻率
中文摘要	采用传统垂直布里奇曼法和Cd补偿垂直布里奇曼法,分别生长出两根尺寸为φ30mm×130mm的Cd0.9Zn0.1Te晶锭。测试了晶体的结晶质量、成分分布、位错腐蚀坑密度(EPD)、红外透过率及电阻率。结果表明,Cd补偿垂直布里奇曼法生长的晶体结晶质量好、成分分布均匀、EPD低、红外透过性能好且电阻率高。这说明Cd补偿垂直布里奇曼法是一种生长高阻值CZT晶体的优良方法。
语种	中文
出版者	功能材料
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ircloud.calis.edu.cn/hdl/261030/230]
专题	西北工业大学
推荐引用方式 GB/T 7714	李国强,谷智,介万奇. Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体[J]. http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200301035&dbname=CJFQ2003,2012, 2012.
APA	李国强,谷智,&介万奇.(2012).Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体.http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200301035&dbname=CJFQ2003.
MLA	李国强,et al."Cd补偿垂直布里奇曼法生长Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶体".http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=GNCL200301035&dbname=CJFQ2003 (2012).