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山东师范大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
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2008 [1]
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2003 [1]
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硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜
期刊论文
2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 853-858
作者:
孙振翠[1]
;
曹文田[2]
;
王书运[2]
;
薛成山[2]
;
伊长虹[1]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/28
Ga2O3
薄膜
GaN薄膜
射频磁控溅射
扩镓时间
溅射Ga2O3反应自组装和脉冲激光沉积(PLD)法制备GaN薄膜
期刊论文
2007, 卷号: 22, 期号: 4, 页码: 55-57
作者:
伊长虹[1,2]
;
孙振翠[1]
;
刘玫[2]
;
张庆刚[2]
;
满宝元[2]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/28
溅射Ga2O3反应自组装
脉冲激光沉积(PLD)
CaN薄膜
Si基ZnO/Ga2O3氨化反应制备GaN薄膜
期刊论文
2004, 期号: 2, 页码: 37-41
作者:
庄惠照[1]
;
高海永[1]
;
薛成山[1]
;
王书运[1]
;
董志华[1]
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浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2019/12/28
Ga2O3薄膜
ZnO缓冲层
氨化
自组装
射频磁控溅射
氨化反应自组装GaN纳米线
期刊论文
2003, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 684-687
作者:
王显明[1]
;
杨利[1]
;
王翠梅[2]
;
薛成山[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/28
纳米Ga2O3薄膜
GaN纳米线
射频磁控溅射
氨化
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